إغلق الإعلان

20 نانومتر-4 جيجابايت-DDR3-03أعلنت شركة سامسونج للإلكترونيات أنها بدأت للتو الإنتاج الضخم لوحدات ذاكرة الوصول العشوائي LPDDR6 الجديدة بسعة 3 جيجا بايت للأجهزة المحمولة. وستعمل الشركة على إنتاج ذاكرات تشغيلية جديدة بمساعدة عملية إنتاج 20 نانومتر، وهو ما سينعكس على انخفاض استهلاك الطاقة بنسبة 10% وزيادة الأداء بنسبة تصل إلى 30%. يتمتع كل طرف من وحدات الذاكرة هذه بسرعة نقل تبلغ 2,133 ميجا بايت / ثانية.

كما أن الرقائق أصغر حجماً بنسبة 20% مقارنة بالوحدات السابقة، إذا أخذنا بعين الاعتبار مجموعة من أربع وحدات ذاكرة بجانب بعضها البعض. وبالتالي فإن مجموعة من أربع وحدات ذاكرة قادرة على تزويد الهاتف بـ 3 جيجابايت من ذاكرة الوصول العشوائي، حيث توفر كل وحدة ذاكرة ذاكرة بسعة 768 ميجابايت. هنا يمكن أن نرى أن سامسونج ربما يكون أمامها وقت أطول للاستيقاظ على الحد الأقصى البالغ 3 جيجابايت من ذاكرة الوصول العشوائي، وفي وقت ما فقط في نهاية العام المقبل سنكون قادرين على البدء في التخيل حول حقيقة أن هواتفنا المحمولة تحتوي الهواتف على نفس مقدار ذاكرة التشغيل الموجودة في أجهزة الكمبيوتر لدينا.

// 20 نانومتر-4 جيجابايت-DDR3-01

//

*مصدر: SammyHub

الأكثر قراءة اليوم

.